Video: FAST 12TB Steam Drive for CHEAP!! (Studeni 2024)
Intel i Micron jučer su najavili 3D XPoint memoriju, nehlapivu memoriju za koju kažu da može pružiti 1000 puta veću brzinu NAND bljeskalice i 10 puta veću gustoću tradicionalne DRAM memorije.
Ako tvrtke mogu isporučiti ovo pamćenje u razumnoj količini po razumnoj cijeni sljedeće godine, kao što su i obećale, to bi zaista moglo promijeniti mnogo načina na koji radimo na računarstvu.
Novo pamćenje - izražen 3D crosspoint - najavili su Mark Durcan, izvršni direktor Micron Technology, i Rob Crooke, stariji potpredsjednik i generalni direktor Intelove grupacije za neisparljive memorije. Objasnili su da 3D XPoint koristi nove materijale koji mijenjaju svojstva, kao i novu arhitekturu unakrsne točke koja koristi tanke redove metala kako bi stvorila uzorak "zaslonskih vrata" koji uređaju omogućavaju izravan pristup svakoj ćeliji memorije, što bi trebalo učiniti puno brže od današnje NAND bljeskalice. (Ove metalne međusobne veze koje se koriste za adresiranje memorijskih ćelija često se nazivaju riječi i bitne linije, premda se u najavi nisu koristili izrazi.)
Početni memorijski čipovi, koji bi trebali stići 2016. godine, planiraju se proizvoditi u tvornici zajedničkog ulaganja tvrtke u Lehiju u Utahu u dvoslojnom procesu koji rezultira čipom od 128 GB - približno jednakim kapacitetom najnovijim NAND flash čipovima. Jučer su dvojica rukovoditelja prikazala reznicu novih čipsa.
Crooke je 3D XPoint memoriju nazvao "temeljnim izmjenjivačem igara" i rekao da je to prva nova vrsta memorije uvedena od trenutka kada je NAND bljesnuo 1989. (To je diskutabilno - razne tvrtke najavile su nove vrste memorije, uključujući i druge promjene faze ili otporna sjećanja - ali nitko ih nije isporučio u velikom kapacitetu ili količini.) "To je nešto za što su mnogi mislili da je nemoguće", rekao je.
Čini se da se efektivno uklapa u jaz između DRAM-a i NAND bljeskalice, nudeći brzinu koja je bliža DRAM-u (iako vjerojatno nije tako brza, jer tvrtke nisu dale stvarni broj) s karakteristikama gustoće i neisparljivosti NAND-a, po cijeni negdje između; podsjetite da je NAND mnogo jeftiniji od DRAM-a za isti kapacitet. To biste mogli vidjeti kao mnogo bržu, ali skuplju zamjenu bljeskalice u nekim aplikacijama; kao sporija, ali mnogo veća zamjena za DRAM u drugima; ili kao još jedan sloj memorije između DRAM-a i NAND bljeskalice. Nijedna tvrtka nije raspravljala o proizvodima - svaki će ponuditi svoje, temeljene na istim dijelovima koji izlaze iz tvornice. Ali pretpostavljam da ćemo vidjeti niz proizvoda usmjerenih na različita tržišta.
Crooke je rekao da bi 3D XPoint mogao biti posebno koristan u memorijskim bazama podataka, jer može pohraniti mnogo više podataka od DRAM-a i nepostojan je, te pomoći u takvim funkcijama kao što su brži pokretanje i obnavljanje računala. Također je govorio o povezivanju takvih čipova na veći sustav koristeći NVM Express (NVMe) specifikacije preko PCIe veza.
Durcan je govorio o aplikacijama poput igara, gdje je zabilježio broj današnjih igara koje prikazuju videozapis dok učitava podatke za sljedeću scenu, nešto što bi ovo pamćenje moglo ublažiti. Durcan je također spomenuo aplikacije poput simulacije u računalstvu visokih performansi, prepoznavanju uzoraka i genomičnosti.
Par nije pružio mnogo tehničkih podataka o 3D XPoint memoriji, osim jednog osnovnog dijagrama i spominjanja nove memorijske ćelije i sklopke. Konkretno, nisu razgovarali o novim uključenim materijalima, osim što su potvrdili da je operacija uključivala promjenu otpora materijala, mada su u sesiji s pitanjima i odgovorima rekli da se razlikuje od ostalih materijala za promjenu faze koji su uvedeni u prošlost. Crooke je rekao da vjeruje da je tehnologija "skalabilna" - sposobna da raste u gustoći, očito dodavanjem više slojeva čipu.
Druge tvrtke godinama govore o novim uspomenama. Numonyx, kojeg su prvotno osnovali Intel i ST Microelectronics, a kasnije ih je stekao Micron, uveo je memoriju za promjenu faza od 1 GB 2012. Druge tvrtke, uključujući HGST IBM-a i Western Digital-a, pokazale su demonstracije sustava temeljenih na tom materijalu, iako Micron nije duže nudeći. HP već dugo govori o memistoru, a noviji start-up modeli poput Crossbar i Everspin Technologies također su govorili o novim nehlapljivim uspomenama. Druge velike memorijske tvrtke, poput Samsung-a, također su radile na novoj nehlapljivoj memoriji. Nijedna od ovih tvrtki još nije isporučila nehlapivu memoriju s velikim kapacitetom (poput 3D XPointove veličine 128 GB) s velikim volumenom, ali naravno, Intel i Micron samo su najavili, ne isporučujući ih.
Ni Intel ni Micron nisu razgovarali o određenim proizvodima koje će isporučiti, ali ne bih se iznenadio da smo čuli više kad se približavamo SC15 Supercomputing showu u studenom, gdje očekuje da će formalno predstaviti svoj procesor Knights Landing, budući da je visoki performans računarstvo bi se činilo vjerovatno rano tržište.
Većina ljudi u industriji memorija dugo vjeruje da postoji prostor za nešto između bljeskalice DRAM i NAND. Ako doista 3D XPoint ispuni svoje obećanje, to će biti početak značajne promjene u arhitekturi poslužitelja, a na kraju i računala.
